在這項工作中，研究了3D打印納米結(jié)構(gòu)氧化銅薄膜的相態(tài)、光敏區(qū)、能帶結(jié)構(gòu)和光學質(zhì)量對退火溫度（Ta）的依賴性。確定了在Ta≤400°C時沉積和退火的氧化銅薄膜都具有CuO相，在Ta=450°C時退火的薄膜對應(yīng)于Cu₂O相。討論了兩相轉(zhuǎn)換的可能機制。確定了由吸收系數(shù)一階導數(shù)和Tauc方法確定的間接允許光學躍遷引起的CuO薄膜的帶隙分別對應(yīng)于1.60 eV和1.35 eV。確定了在Ta=350°C時CuO薄膜的光學****。獲得的結(jié)果為獲得適合現(xiàn)代光電應(yīng)用的材料開辟了道路，特別是用于開發(fā)環(huán)境友好型太陽能電池。

納米技術(shù)的快速發(fā)展需要新材料，這刺激了功能半導體氧化物納米材料受控合成的發(fā)展，納米結(jié)構(gòu)薄膜的創(chuàng)建，以及對其獨特物理和化學性質(zhì)的研究。這對于各種潛在應(yīng)用至關(guān)重要。*廣泛的金屬氧化物納米材料之一是氧化銅，它具有兩種晶體修飾（Cu₂O和CuO）。這些銅氧化物的物理性質(zhì)（結(jié)構(gòu)、光學、電子等）變化強烈。特別是Cu₂O具有立方晶體對稱性。同時，CuO屬于單斜對稱。Cu₂O是一種p型材料，帶隙（Eg）等于2.50 eV。CuO也是一種p型半導體，Eg=1.48 eV。

應(yīng)該注意的是，溫度退火對氧化銅薄膜物理特性影響的性質(zhì)明顯取決于其生產(chǎn)技術(shù)。目前，有許多致力于研究不同氣氛下溫度退火對這些薄膜的結(jié)構(gòu)、光學和其他物理特性的影響的工作。對這些工作的詳細分析表明，這種影響顯著取決于獲得氧化銅薄膜的技術(shù)。

特別是，通過一些方法（磁控管濺射、SILAR、脈沖激光、化學、SILAR、蒸發(fā)金屬銅和磁控管濺射）沉積的氧化銅薄膜的特征是沉積薄膜的Cu₂O立方相的形成。將這些薄膜退火到大約（350-400）℃時，觀察到Cu₂O立方相向單斜CuO相的轉(zhuǎn)化。此外，在某些溫度下也觀察到兩相的混合物。當使用其他薄膜沉積技術(shù)（噴霧熱解、溶膠-凝膠旋轉(zhuǎn)涂層、SILAR）時，沉積的薄膜具有CuO相。由于這種薄膜的退火，它們保留了這種結(jié)構(gòu)，質(zhì)量有所提高，或者在≥400℃的溫度下，它們轉(zhuǎn)化為Cu₂O相。還應(yīng)該注意的是，這種相變的過程強烈地取決于技術(shù)條件（相變發(fā)生的氣氛、氣氛的壓力、退火溫度和時間等）。

因此，優(yōu)化沉積氧化銅薄膜的任何技術(shù)都需要詳細研究退火條件對其物理性能的影響。已知目前，對氧化銅薄膜的3D打印技術(shù)的**研究是相當實際的，因為這種方法仍然沒有得到充分的發(fā)展。對通過3D打印獲得的任何薄膜的溫度退火的研究仍然不足以優(yōu)化其生產(chǎn)的技術(shù)。同時，這項技術(shù)的發(fā)展非常重要，因為它開辟了其在快速發(fā)展的柔性電子產(chǎn)品中使用的可能性。本研究的目的是研究氬氣氛中的溫度退火對3D打印納米結(jié)構(gòu)Cu_xO薄膜的光學和光電性能的影響，控制其相組成，建立電子躍遷的性質(zhì)和能量結(jié)構(gòu)的特征，并優(yōu)化所研究薄膜的光學質(zhì)量。