近年來，柔性電子器件因其在可穿戴表皮電子與可植入生物醫療器件中的巨大潛在應用，使得該領域的發展日新月異。相對于傳統電子器件， 柔性電子器件具有更大的靈活性， 能夠在一定程度上適應不同的工作環境，與生物體**貼合，從而可以*大限度地減少生物體排斥，但是相應的技術要求同樣制約了柔性電子器件的發展。

首先，柔性電子器件需要在不損壞本身電子性能的基礎上獲得伸展性和彎曲性，對導電材料提出了新的挑戰和要求；其次， 柔性電子的制備條件以及組成電路的各種電子器件的高性能和穩定性相對于傳統的電子器件來說仍然不足，也是其發展的一大難題。

在傳統電子器件中的電極材料以金屬為主， 由于金屬不具有柔性， 在拉伸或彎曲過程中易于發生斷裂而失效，無法滿足柔性器件的發展需求。所以， 具有柔性的且導電性能可與傳統金屬相媲美的材料的發展變得至關重要。 

目前， 被廣泛研究的柔性材料有：水凝膠、液態金屬、高分子聚合物10以及導電納米材料。水凝膠以高分子網絡為骨架，網絡中充滿水分，生物相容性強，容易摻雜具有導電性，并且可以像人體皮膚一樣自**；液態金屬是常溫或者接近室溫下呈現液態相的金屬， 具有很強的導電性；高分子聚合物過摻雜可以成為導體來用作導線，或者成為半導體用來做有機場效應晶體管；納米材料(如金屬納米材料， 碳納米材料等)由于其尺寸小， 本身或者與其他彈性體復合，可具有一定的柔性以及可拉伸性。 

在這里特別指出的是， 碳納米材料中的碳納米管薄膜材料由于具有優異的導電性和導熱性，出色的機械與化學穩定性，良好的柔性以及具有結構與性能易調控且易大面積制備等特點， 近年來在柔性電子領域嶄露頭角， 得到了廣泛且飛速的發展，可能給人們生活帶來的變革。

本文將著重闡述碳納米管薄膜制備方法方面的重要研究進展，討論其在柔性電子器件應用領域的關鍵科學和技術問題，總結并展望了碳納米管薄膜在柔性電子器件領域的應用。

1991年，日本NEC公司的飯島澄男(Iijima)用高分辨透射電鏡觀察到了碳納米管并在Nature雜志上進行了報道。

碳納米管(Carbon nanotube，CNT)，是由石墨片卷曲而形成的無縫中空管體。碳納米管中的碳原子以sp²方式進行雜化成鍵，以六元環為基本結構單元，這使得碳納米管具有很高的楊氏模量， 是具有高斷裂強度的材料， 在彎曲情況下不容易損壞。碳納米管還具有高的電導率和高的熱導率， 此外其可以通過制備工藝調控， 而呈現半導體性或金屬性。碳納米管具有極大的長徑比、 優異的機械強度以及良好的導電導熱能力， 是一種理想的柔性導電材料。

碳納米管的制備方法主要有三種， 分別是電弧放電法(arc-discharge) 、激光燒蝕法(laser ablation) 和化學氣相沉積法(chemical vapor deposition， CVD) 。而化學氣相沉積法由于其可控性強， 成本較低等優點， 已經成為了制備碳納米管的主流方法。

在實際應用中，碳納米管又有多種形貌，包括碳納米管粉體、碳納米管纖維、碳納米管薄膜、碳納米管海綿、碳納米管垂直陣列(VACNT)  (又稱為碳納米管森林)、碳納米管水平陣列(HACNT) 等，它們均可用于柔性電子器件。

本節將主要綜述碳納米管薄膜的兩大類主要制備方法，包括干法制備和濕法制備方法。

１、 碳納米管薄膜的干法制備

碳納米管薄膜的干法制備是指薄膜制備的整體過程都不接觸液體， 主要有以下兩種方法， 一種是從碳納米管的垂直陣列中直接抽出碳納米管薄膜，另外一種是通過CVD的方法直接生長出碳納米管的薄膜。

（１） 抽膜法

碳納米管薄膜可以從碳納米管垂直陣列中直接抽取而獲得。2002年，清華大學Jiang等**成功從碳納米管陣列中抽絲得到連續碳納米管長線。碳納米管之間由于范德華力的作用從而可以首尾相連得以連續地被抽出來，他們從硅基底上的超順排碳納米管陣列直接抽出長達30 cm的碳納米管線。 

2005年， Baughman研究組在Science雜志上報道了從碳納米管垂直陣列中連續地抽出碳納米管透明薄膜， 薄膜長度可達米級。為了能夠實現這類碳納米管薄膜的大規模生產和應用，需要制備出大尺寸的超順排的碳納米管垂直陣列。

隨后，清華大學范守善研究組在直徑為20.32 cm硅基底上成功制備得到了碳納米管垂直陣列，實現了該類碳納米管垂直陣列以流水線的方式大量制備， 并結合傳統的干法紡絲技術， 得到了高度取向的連續碳納米管薄膜，該薄膜長達300 m (圖1a，b)。該直接抽出的碳納米管透明薄膜有著優異的導電性和良好的柔性，而且能夠自由控制形成交叉堆疊結構56 (圖1c， d)，從而有利于廣泛地應用在柔性電子領域。

（２）浮動催化化學氣相沉積法

碳納米管薄膜還可以通過浮動催化化學氣相沉積法(FCCVD)的方法得到。2007年， 中國科學院物理研究所解思深教授研究組通過浮動催化化學氣相沉積技術在5 cm × 10 cm的基底上生長出均勻的碳納米管薄膜(圖2a–c)，該薄膜具有高電導率、高透明度。制備過程中，通過載氣在65–85 °C的條件下將二茂鐵/硫粉的混合物送入反應區域， 在600 °C的條件下以甲烷為碳源制備碳納米管薄膜，生長30 min薄膜的厚度可達100 nm。制備得到的碳納米管薄膜可以輕易揭下， 轉移至其他基底。 

2018年， 中國科學院金屬研究所成會明研究團隊采用浮動催化劑化學氣相沉積方法在反應爐的高溫(1100 °C)區域連續生長單壁碳納米管(SWNT)，然后通過氣體過濾和轉移系統在室溫下收集所制備的碳納米管。當微孔濾膜沿著過濾腔室的四周移動時，可以在其上連續沉積大面積碳納米管薄膜，并且制備的碳納米管薄膜可通過卷到卷滾壓轉移方式轉移至柔性聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基底上，獲得了長度超過2 m的成卷碳納米管薄膜(圖2d， e)。薄膜具有優異的光電性能，在550 nm波長下其透光率為90%，方塊電阻65 ?·sq^-1，這為碳納米管薄膜的實際應用奠定了基礎，率先實現了大面積、高均勻性SWNT薄膜的連續制備與轉移。

2、 碳納米管薄膜的濕法制備

碳納米管薄膜的濕法制備主要指對制備得到的碳納米管樣品(一般為粉體樣品)在溶劑中進行純化、分散、分離，然后通過一定的方法將其制備成碳納米管薄膜。該方法的優勢在于碳納米管在溶劑中處理的過程中能夠*大限度地去除無用的雜質，這更利于得到有著更高導電性和更高純度碳納米管薄膜，甚至可以在溶劑中對其進行手性的選擇，從而制備不同性質(金屬性/半導體性)的碳納米管薄膜， 對其應用有著很重要的意義。具體而言，通過濕法制備碳納米管薄膜的方法又可分為抽濾法、浸漬法、電沉積法、自組裝法和噴涂法等。

（1）抽濾法
抽濾法是制備各種薄膜材料*常用的方法之一。起初， 研究者們主要借鑒以前抽濾納米纖維膜的方法，簡單的來抽濾碳納米管溶液制作碳納米管薄膜。

在2004年， Rinzler等**報道了用真空抽濾法制備碳納米管薄膜。研究者首先用十二烷基硫酸鈉(SDS)水溶液分散碳納米管，通過超聲獲得在水中均勻分散的碳納米管溶液，再通過真空抽濾的方法使碳納米管沉積在濾膜上形成薄膜， 在用去離子水沖洗后， 得到干凈的碳納米管薄膜。這種薄膜展現出優異的導電性和透光性(圖3a)。然而，上述這種方法制備得到的碳納米管薄膜就像抽濾得到的納米纖維膜一樣，其中的碳納米管是隨機分散搭接的，不具備定向性。

 2016年，萊斯大學Kono研究組改進了真空抽濾的方法，通過表面帶負電荷的表面活性劑增強碳納米管間的排斥力，使碳納米管在溶液中得以更均勻的分散，同時降低碳納米管懸濁液濃度和抽濾速度得到了高度定向的碳納米管薄膜。通過調控實驗參數，這種慢真空抽濾的方法可以控制薄膜厚度從幾 納 米 到 幾百 納 米 ， 且碳 納 米 管 的密 度 為 10⁶lines·μm^-1。